西門康igbt模塊應用指南資料下載::::::武漢世佳科訊電子技術有限公司::::::

 | | |||
  

感謝您的光臨,能為您服務是我們的榮幸!

首頁企業簡介工業備件電力半導體研發産品技術支持聯系我們

igbt模塊資料目錄
西門康igbt及驅動電路應用指南
eupec igbt及驅動電路應用指南
富士igbt及驅動電路應用指南
三社功率模塊技術支持
三菱功率模塊應用說明
歐派克西門康富士型號互替表
工業備件資料目錄
變頻器、軟起動說明書下載
plc/觸摸屏解密資料

首頁技術支持
 

西門康igbt模塊應用

   
0 功率半導體的工作原理  
0.1基本開關過程 [ 1 ]
0.2功率半導體的運行原理 [ 4 ]
0.3電力電子開關 [ 6 ]
   
1 基本原理  
1.1igbt和mosfet功率模塊的應用範圍 [ 13 ]
1.2功率mosfet和igbt [ 14 ]
1.2.1結構和基本功能 [ 14 ]
1.2.2靜態特性 [ 22 ]
1.2.2.1功率mosfet [ 23 ]
1.2.2.2igbt [ 27 ]
1.2.3mosfet和igbt在硬開關時的開關特性 [ 29 ]
1.2.4mosfet和igbt技術的發展新動向 [ 35 ]
1.3續流和緩衝二極管 [ 39 ]
1.3.1對續流和緩衝二極管的要求 [ 39 ]
1.3.1.1反向阻斷電壓和正向通態壓降 [ 39 ]
1.3.1.2開通特性 [ 40 ]
1.3.1.3關斷特性 [ 41 ]
1.3.1.4對續流二極管在整流和逆運行中的要求 [ 47 ]
1.3.2快速功率二極管的構造 [ 50 ]
1.3.3快速功率二極管的特性 [ 51 ]
1.3.3.1導通和截止特性 [ 51 ]
1.3.3.2開通特性 [ 52 ]
1.3.3.3關斷特性 [ 53 ]
1.3.3.4動態堅固性 [ 54 ]
1.3.4具有優化恢複特性的現代二極管 [ 55 ]
1.3.4.1發極方案 [ 55 ]
1.3.4.2軸向壽命控制方案 [ 57 ]
1.3.4.3混合二極管方案 [ 59 ]
1.3.5快速功率二極管的串聯和並聯 [ 61 ]
1.3.5.1串聯 [ 61 ]
1.3.5.2並聯 [ 63 ]
1.4功率模塊: 多芯片結構的特點 [ 64 ]
1.4.1功率模塊的構造 [ 64 ]
1.4.2功率模塊的性能 [ 67 ]
1.4.2.1複雜度 [ 67 ]
1.4.2.2散熱能力 [ 69 ]
1.4.2.3絕緣電壓與漏電穩定性 [ 76 ]
1.4.2.4負載循環能力 [ 77 ]
1.4.2.5模塊內部的低電感設計 [ 80 ]
1.4.2.6內部結構與電磁幹擾 [ 81 ]
1.4.2.7模塊在失效時可定義的安全行為 [ 82 ]
1.4.2.8無汙染可回收 [ 82 ]
1.4.3安裝和連接技術: 外殼形式 [ 83 ]
1.4.4semikron功率模塊的命名方法 [ 85 ]
1.5新封裝技術舉例 [ 87 ]
1.5.1skiippack [ 88 ]
1.5.2miniskiip [ 90 ]
1.5.3semitop [ 93 ]
1.6傳感器、保護裝置、驅動器和?auml;它智能部分的集成 [ 94 ]
   
2 mosfet、igbt、miniskiip和skiippack模塊的參數表  
2.1概論 [ 97 ]
2.1.1符號、定義、標准 [ 97 ]
2.1.2最大定額、特性參數 [ 99 ]
2.2功率mosfet模塊 [ 99 ]
2.2.1最大定額 [ 99 ]
2.2.2特性參數 [ 101 ]
2.2.3特性曲線圖 [ 106 ]
2.3igbt模塊 [ 110 ]
2.3.1最大定額 [ 110 ]
2.3.2特性參數 [ 111 ]
2.3.3特性曲線圖 [ 119 ]
2.4miniskiip的特殊參數 [ 126 ]
2.5skiippack 特殊參數 [ 127 ]
2.6功率模塊的靜態和動態特性對溫度的依賴性 [ 127 ]
2.7可靠性 [ 130 ]
   
3 應用指南  
3.1mosfet、igbt和skiippack模塊的設計與選型 [ 133 ]
3.1.1正向截止電壓 [ 133 ]
3.1.2通態電流 [ 134 ]
3.1.3開關頻率 [ 135 ]
3.2傳熱性能 [ 137 ]
3.2.1功耗的平衡 [ 137 ]
3.2.1.1單項功耗和總功耗 [ 137 ]
3.2.1.2降壓斬波器的的功耗 [ 139 ]
3.2.1.3具有正弦電流波形的脈衝電壓逆?auml;器或整流器的功耗 [ 140 ]
3.2.2結溫的計算 [ 146 ]
3.2.2.1概述 [ 146 ]
3.2.2.2歇工作時的結溫 [ 148 ]
3.2.2.3脈衝調制時的結溫 [ 150 ]
3.2.2.4基波頻率下的結溫 [ 152 ]
3.2.3評估溫度特性對于模塊壽命的影響 [ 154 ]
3.3功率模塊的卻 [ 155 ]
3.3.1卻裝置、卻介質和卻方法 [ 155 ]
3.3.2卻裝置的傳熱模型 [ 156 ]
3.3.3自然風(自然對流) [ 157 ]
3.3.4強制風 [ 157 ]
3.3.5 [ 161 ]
3.3.6用于skiippack的標准散熱器的參數 [ 162 ]
3.3.6.1強制風 [ 162 ]
3.3.6.2 [ 164 ]
3.4功率回路的設計 [ 165 ]
3.4.1寄生電感和電容 [ 165 ]
3.4.2電磁幹擾與對電網的幹擾 [ 168 ]
3.4.2.1流器的過程 [ 168 ]
3.4.2.2幹擾電流的産生 [ 169 ]
3.4.2.3傳播途徑 [ 170 ]
3.4.2.4抗擾措施 [ 173 ]
3.4.3預裝好的功率單元 [ 174 ]
3.5驅動器 [ 178 ]
3.5.1柵極電壓和柵極電流特性 [ 178 ]
3.5.2驅動參數對開關特性的影響 [ 181 ]
3.5.3驅動電路結構與對驅動器的基本要求 [ 184 ]
3.5.4驅動器內置的保護和監視功能 [ 187 ]
3.5.5時常數和內部互鎖功能 [ 188 ]
3.5.6控制信號和驅動能量的傳 [ 189 ]
3.5.6.1控制數據及反饋 [ 191 ]
3.5.6.2驅動能量 [ 191 ]
3.5.7功率mosfet和igbt的驅動電路 [ 192 ]
3.5.8semidriver(賽米控驅動器) [ 192 ]
3.5.8.1oem驅動器 [ 193 ]
3.5.8.2skiippack驅動器 [ 195 ]
3.6故障的行為和保護 [ 199 ]
3.6.1故障的種類 [ 199 ]
3.6.2igbt和mosfet在過載及短路時的特性 [ 202 ]
3.6.3故障的檢測和保護 [ 208 ]
3.6.3.1故障電流的檢測和降低 [ 208 ]
3.6.3.2過壓限制 [ 211 ]
3.6.3.3過溫檢測 [ 217 ]
3.7mosfet、igbt 以及 skiippack 模塊的串並聯 [ 218 ]
3.7.1並聯連接 [ 218 ]
3.7.1.1均流問題 [ 218 ]
3.7.1.2模塊的選擇、驅動電路、線路布置 [ 221 ]
3.7.1.3skiippack 模塊的並聯 [ 223 ]
3.7.2串聯連接 [ 225 ]
3.7.2.1電壓均衡的問題 [ 225 ]
3.7.2.2模塊選擇、驅動電路、緩衝網絡、結構設計 [ 226 ]
3.8zvs或zcs模式的軟開關與開關緩衝網絡 [ 231 ]
3.8.1要求和應用場合 [ 231 ]
3.8.2對半導體開關及?auml;驅動器的要求 [ 232 ]
3.8.3軟開關 [ 234 ]
3.8.3.1型的電流電壓特性/功率導體的應力 [ 234 ]
3.8.3.2半導體開關及?auml;驅動器的要求 [ 237 ]
3.8.3.3開關特性 [ 239 ]
3.8.3.4結論 [ 244 ]
3.9使用mosfet、igbt、miniskiip和skiippack模塊時的注意事項 [ 245 ]
3.9.1對esd的敏感性及防護措施 [ 245 ]
3.9.2安裝指南 [ 245 ]
3.9.3skiippack出廠時的熱性能試 [ 246 ]
3.10輔助設計軟件 [ 246 ]
3.10.1電路的數學模型 [ 246 ]
3.10.2賽米控軟件服務 [ 250 ]
4 參考文獻 [ 253 ]


采購方式 | 物流配送| 地理位置 | 網站地圖 | 合作夥伴 | 友情鏈接| 聯系我們
copyright © 2000-2008 shijia technology&communication co.,ltd
 電話:027-83999019/83999020/83999110 e_mail:whsjkx@163.com  鄂icp備06006590號
世佳科訊(武漢)電子技術有限公司  版權所有