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西门康igbt模块应用

   
0 功率半导体的工作原理  
0.1基本开关过程 [ 1 ]
0.2功率半导体的运行原理 [ 4 ]
0.3电力电子开关 [ 6 ]
   
1 基本原理  
1.1igbt和mosfet功率模块的应用范围 [ 13 ]
1.2功率mosfet和igbt [ 14 ]
1.2.1结构和基本功能 [ 14 ]
1.2.2静态特性 [ 22 ]
1.2.2.1功率mosfet [ 23 ]
1.2.2.2igbt [ 27 ]
1.2.3mosfet和igbt在硬开关时的开关特性 [ 29 ]
1.2.4mosfet和igbt技术的发展新动向 [ 35 ]
1.3续流和缓冲二极管 [ 39 ]
1.3.1对续流和缓冲二极管的要求 [ 39 ]
1.3.1.1反向阻断电压和正向通态压降 [ 39 ]
1.3.1.2开通特性 [ 40 ]
1.3.1.3关断特性 [ 41 ]
1.3.1.4对续流二极管在整流和逆运行中的要求 [ 47 ]
1.3.2快速功率二极管的构造 [ 50 ]
1.3.3快速功率二极管的特性 [ 51 ]
1.3.3.1导通和截止特性 [ 51 ]
1.3.3.2开通特性 [ 52 ]
1.3.3.3关断特性 [ 53 ]
1.3.3.4动态坚固性 [ 54 ]
1.3.4具有优化恢复特性的现代二极管 [ 55 ]
1.3.4.1发极方案 [ 55 ]
1.3.4.2轴向寿命控制方案 [ 57 ]
1.3.4.3混合二极管方案 [ 59 ]
1.3.5快速功率二极管的串联和并联 [ 61 ]
1.3.5.1串联 [ 61 ]
1.3.5.2并联 [ 63 ]
1.4功率模块: 多芯片结构的特点 [ 64 ]
1.4.1功率模块的构造 [ 64 ]
1.4.2功率模块的性能 [ 67 ]
1.4.2.1复杂度 [ 67 ]
1.4.2.2散热能力 [ 69 ]
1.4.2.3绝缘电压与漏电稳定性 [ 76 ]
1.4.2.4负载循环能力 [ 77 ]
1.4.2.5模块内部的低电感设计 [ 80 ]
1.4.2.6内部结构与电磁干扰 [ 81 ]
1.4.2.7模块在失效时可定义的安全行为 [ 82 ]
1.4.2.8无污染可回收 [ 82 ]
1.4.3安装和连接技术: 外壳形式 [ 83 ]
1.4.4semikron功率模块的命名方法 [ 85 ]
1.5新封装技术举例 [ 87 ]
1.5.1skiippack [ 88 ]
1.5.2miniskiip [ 90 ]
1.5.3semitop [ 93 ]
1.6传感器、保护装置、驱动器和?auml;它智能部分的集成 [ 94 ]
   
2 mosfet、igbt、miniskiip和skiippack模块的参数表  
2.1概论 [ 97 ]
2.1.1符号、定义、标准 [ 97 ]
2.1.2最大定额、特性参数 [ 99 ]
2.2功率mosfet模块 [ 99 ]
2.2.1最大定额 [ 99 ]
2.2.2特性参数 [ 101 ]
2.2.3特性曲线图 [ 106 ]
2.3igbt模块 [ 110 ]
2.3.1最大定额 [ 110 ]
2.3.2特性参数 [ 111 ]
2.3.3特性曲线图 [ 119 ]
2.4miniskiip的特殊参数 [ 126 ]
2.5skiippack 特殊参数 [ 127 ]
2.6功率模块的静态和动态特性对温度的依赖性 [ 127 ]
2.7可靠性 [ 130 ]
   
3 应用指南  
3.1mosfet、igbt和skiippack模块的设计与选型 [ 133 ]
3.1.1正向截止电压 [ 133 ]
3.1.2通态电流 [ 134 ]
3.1.3开关频率 [ 135 ]
3.2传热性能 [ 137 ]
3.2.1功耗的平衡 [ 137 ]
3.2.1.1单项功耗和总功耗 [ 137 ]
3.2.1.2降压斩波器的的功耗 [ 139 ]
3.2.1.3具有正弦电流波形的脉冲电压逆?auml;器或整流器的功耗 [ 140 ]
3.2.2结温的计算 [ 146 ]
3.2.2.1概述 [ 146 ]
3.2.2.2歇工作时的结温 [ 148 ]
3.2.2.3脉冲调制时的结温 [ 150 ]
3.2.2.4基波频率下的结温 [ 152 ]
3.2.3评估温度特性对于模块寿命的影响 [ 154 ]
3.3功率模块的却 [ 155 ]
3.3.1却装置、却介质和却方法 [ 155 ]
3.3.2却装置的传热模型 [ 156 ]
3.3.3自然风(自然对流) [ 157 ]
3.3.4强制风 [ 157 ]
3.3.5 [ 161 ]
3.3.6用于skiippack的标准散热器的参数 [ 162 ]
3.3.6.1强制风 [ 162 ]
3.3.6.2 [ 164 ]
3.4功率回路的设计 [ 165 ]
3.4.1寄生电感和电容 [ 165 ]
3.4.2电磁干扰与对电网的干扰 [ 168 ]
3.4.2.1流器的过程 [ 168 ]
3.4.2.2干扰电流的产生 [ 169 ]
3.4.2.3传播途径 [ 170 ]
3.4.2.4抗扰措施 [ 173 ]
3.4.3预装好的功率单元 [ 174 ]
3.5驱动器 [ 178 ]
3.5.1栅极电压和栅极电流特性 [ 178 ]
3.5.2驱动参数对开关特性的影响 [ 181 ]
3.5.3驱动电路结构与对驱动器的基本要求 [ 184 ]
3.5.4驱动器内置的保护和监视功能 [ 187 ]
3.5.5时常数和内部互锁功能 [ 188 ]
3.5.6控制信号和驱动能量的传 [ 189 ]
3.5.6.1控制数据及反馈 [ 191 ]
3.5.6.2驱动能量 [ 191 ]
3.5.7功率mosfet和igbt的驱动电路 [ 192 ]
3.5.8semidriver(赛米控驱动器) [ 192 ]
3.5.8.1oem驱动器 [ 193 ]
3.5.8.2skiippack驱动器 [ 195 ]
3.6故障的行为和保护 [ 199 ]
3.6.1故障的种类 [ 199 ]
3.6.2igbt和mosfet在过载及短路时的特性 [ 202 ]
3.6.3故障的检测和保护 [ 208 ]
3.6.3.1故障电流的检测和降低 [ 208 ]
3.6.3.2过压限制 [ 211 ]
3.6.3.3过温检测 [ 217 ]
3.7mosfet、igbt 以及 skiippack 模块的串并联 [ 218 ]
3.7.1并联连接 [ 218 ]
3.7.1.1均流问题 [ 218 ]
3.7.1.2模块的选择、驱动电路、线路布置 [ 221 ]
3.7.1.3skiippack 模块的并联 [ 223 ]
3.7.2串联连接 [ 225 ]
3.7.2.1电压均衡的问题 [ 225 ]
3.7.2.2模块选择、驱动电路、缓冲网络、结构设计 [ 226 ]
3.8zvs或zcs模式的软开关与开关缓冲网络 [ 231 ]
3.8.1要求和应用场合 [ 231 ]
3.8.2对半导体开关及?auml;驱动器的要求 [ 232 ]
3.8.3软开关 [ 234 ]
3.8.3.1型的电流电压特性/功率导体的应力 [ 234 ]
3.8.3.2半导体开关及?auml;驱动器的要求 [ 237 ]
3.8.3.3开关特性 [ 239 ]
3.8.3.4结论 [ 244 ]
3.9使用mosfet、igbt、miniskiip和skiippack模块时的注意事项 [ 245 ]
3.9.1对esd的敏感性及防护措施 [ 245 ]
3.9.2安装指南 [ 245 ]
3.9.3skiippack出厂时的热性能试 [ 246 ]
3.10辅助设计软件 [ 246 ]
3.10.1电路的数学模型 [ 246 ]
3.10.2赛米控软件服务 [ 250 ]
4 参考文献 [ 253 ]


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